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ROHM Semiconductor / RT1E040RPTR

RT1E040RPTR

Référence fabricant: RT1E040RPTR
Fabricant: ROHM Semiconductor
Partie de la description: MOSFET P-CH 30V 4A 8TSST
Feuilles de données: RT1E040RPTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceNot For New Designs
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs45mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1000 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)550mW (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-TSST
Paquet / caisse8-SMD, Flat Lead
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 1940

Le minimum: 1

Quantité Prix ​​unitaire Poste Prix

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