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SIA462DJ-T4-GE3

Référence fabricant:	SIA462DJ-T4-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 12A/12A PPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	12A (Ta), 12A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	570 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.5W (Ta), 19W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® SC-70-6 Single
Paquet / caisse	PowerPAK® SC-70-6

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