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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. / AOI2N60A

AOI2N60A

Référence fabricant: AOI2N60A
Fabricant: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 2A TO251A
Feuilles de données: AOI2N60A Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C2A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds295 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)57W (Tc)
Température de fonctionnement-50°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-251A
Paquet / caisseTO-251-3 Stub Leads, IPak
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