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STMicroelectronics / STU10N60M2

STU10N60M2

Référence fabricant: STU10N60M2
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 7.5A IPAK
Feuilles de données: STU10N60M2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesMDmesh™ II Plus
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C7.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs13.5 nC @ 10 V
Vgs (max)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds400 pF @ 100 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)85W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurI-PAK
Paquet / caisseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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