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SIS407DN-T1-GE3

Référence fabricant:	SIS407DN-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Feuilles de données:	SIS407DN-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	25A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	93.8 nC @ 8 V
Vgs (max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2760 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® 1212-8
Paquet / caisse	PowerPAK® 1212-8

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