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STD80N6F6

Référence fabricant:	STD80N6F6
Fabricant:	STMicroelectronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 60V 80A DPAK
Feuilles de données:	STD80N6F6 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	80A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.5mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	122 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	7480 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	120W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	DPAK
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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