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FCP190N65S3

Référence fabricant:	FCP190N65S3
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Feuilles de données:	FCP190N65S3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	SuperFET® III
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	17A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 1.7mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.35 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	144W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3

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