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IPB26CN10NGATMA1

Référence fabricant:	IPB26CN10NGATMA1
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK
Feuilles de données:	IPB26CN10NGATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	35A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 39µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2.07 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	71W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	D²PAK (TO-263AB)
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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