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STMicroelectronics / STB7ANM60N

STB7ANM60N

Référence fabricant: STB7ANM60N
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK
Feuilles de données: STB7ANM60N Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101, MDmesh™ II
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs14 nC @ 10 V
Vgs (max)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds363 pF @ 50 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)45W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD2PAK
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 591

Le minimum: 1

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