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BSM180C12P2E202

Référence fabricant:	BSM180C12P2E202
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	SICFET N-CH 1200V 204A MODULE
Feuilles de données:	BSM180C12P2E202 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tray
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	204A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 35.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (max)	+22V, -6V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	20000 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1360W (Tc)
Température de fonctionnement	175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de l'appareil fournisseur	Module
Paquet / caisse	Module

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Modèles populaires

	BSM180C12P2E202 ROHM Semiconductor
	BSM180C12P3C202 ROHM Semiconductor

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