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IXTN200N10T

Référence fabricant:	IXTN200N10T
Fabricant:	Wickmann / Littelfuse
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 200A SOT227B
Feuilles de données:	IXTN200N10T Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchMV™
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	200A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9400 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	550W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount
Package de l'appareil fournisseur	SOT-227B
Paquet / caisse	SOT-227-4, miniBLOC

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