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TSC (Taiwan Semiconductor) / TSM680P06CZ C0G

TSM680P06CZ C0G

Référence fabricant: TSM680P06CZ C0G
Fabricant: TSC (Taiwan Semiconductor)
Partie de la description: MOSFET P-CH 60V 18A TO220
Feuilles de données: TSM680P06CZ C0G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C18A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs68mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs16.4 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 30 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)42W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220
Paquet / caisseTO-220-3
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