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BSZ105N04NSGATMA1

Référence fabricant:	BSZ105N04NSGATMA1
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	OPTLMOS POWER-MOSFET
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	11A (Ta), 40A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 14µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1.3 pF @ 20 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 35W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TSDSON-8
Paquet / caisse	8-PowerTDFN

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