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RSL020P03TR

Référence fabricant:	RSL020P03TR
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET P-CH 30V 2A TUMT6
Feuilles de données:	RSL020P03TR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	*
Paquet	Tape & Reel (TR)Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
État de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	3.9 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TUMT6
Paquet / caisse	6-SMD, Flat Leads

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