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SI4484EY-T1-GE3

Référence fabricant:	SI4484EY-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 4.8A 8SO
Feuilles de données:	SI4484EY-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	4.8A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	34mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.8W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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