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FDP2D9N12C

Référence fabricant:	FDP2D9N12C
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	PTNG 120V N-FET TO220
Feuilles de données:	FDP2D9N12C Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	PowerTrench®
Paquet	Tube
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	120 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	18A (Ta), 210A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 686µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	109 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8894 pF @ 60 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.4W (Ta), 333W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-220-3
Paquet / caisse	TO-220-3

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Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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