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Rochester Electronics / FDU8882

FDU8882

Référence fabricant: FDU8882
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 12.6A/55A IPAK
Feuilles de données: FDU8882 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesPowerTrench®
PaquetTube
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C12.6A (Ta), 55A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs11.5mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1.26 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)55W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurI-PAK
Paquet / caisseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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