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TPH4R10ANL,L1Q

Référence fabricant:	TPH4R10ANL,L1Q
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 92A/70A 8SOP
Feuilles de données:	TPH4R10ANL,L1Q Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	U-MOSVIII-H
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	92A (Ta), 70A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.1mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6.3 nF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 67W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SOP Advance (5x5)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN

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