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Référence fabricant: | SIR422DP-T1-GE3 |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
Partie de la description: | MOSFET N-CH 40V 40A PPAK SO-8 |
Feuilles de données: | SIR422DP-T1-GE3 Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | TrenchFET® |
Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
État de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 40 V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.6mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
Vgs (max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1785 pF @ 20 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 5W (Ta), 34.7W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de l'appareil fournisseur | PowerPAK® SO-8 |
Paquet / caisse | PowerPAK® SO-8 |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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