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SI1307EDL-T1-GE3

Référence fabricant:	SI1307EDL-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET P-CH 12V 850MA SC70-3
Feuilles de données:	SI1307EDL-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	12 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	850mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	290mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	290mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SC-70-3
Paquet / caisse	SC-70, SOT-323

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