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SIR158DP-T1-RE3

Référence fabricant:	SIR158DP-T1-RE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Feuilles de données:	SIR158DP-T1-RE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET® Gen III
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	60A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	130 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4980 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	83W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PowerPAK® SO-8
Paquet / caisse	PowerPAK® SO-8

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