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Rochester Electronics / HAT2279N-EL-E

HAT2279N-EL-E

Référence fabricant: HAT2279N-EL-E
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C30A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs12.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 10 V
Vgs (max)-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3.52 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)25W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-LFPAK-iV
Paquet / caisse8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
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État des stocks: 2500

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