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HAT2279N-EL-E

Référence fabricant:	HAT2279N-EL-E
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 80V 30A 8LFPAK
Feuilles de données:	HAT2279N-EL-E Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Bulk
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	80 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	30A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.3mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3.52 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	25W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-LFPAK-iV
Paquet / caisse	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)

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