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Rochester Electronics / MMBF170LT3G

MMBF170LT3G

Référence fabricant: MMBF170LT3G
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
Feuilles de données: MMBF170LT3G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C500mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)225mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurSOT-23-3 (TO-236)
Paquet / caisseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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État des stocks: 115206

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