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SI4778DY-T1-E3

Référence fabricant:	SI4778DY-T1-E3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET N-CH 25V 8A 8SO
Feuilles de données:	SI4778DY-T1-E3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	680 pF @ 13 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.4W (Ta), 5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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