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FDU3N40TU

Référence fabricant:	FDU3N40TU
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Feuilles de données:	FDU3N40TU Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	UniFET™
Paquet	Bulk
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	400 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	225 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	30W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	I-PAK
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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