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Vishay / Siliconix / SQD50P06-15L_GE3

SQD50P06-15L_GE3

Référence fabricant: SQD50P06-15L_GE3
Fabricant: Vishay / Siliconix
Partie de la description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Feuilles de données: SQD50P06-15L_GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
REMARQUE
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package

spécification
Taper La description
SériesTrenchFET®
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs150 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds5910 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)136W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurTO-252, (D-Pak)
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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