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Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor / NTMS4706NR2

NTMS4706NR2

Référence fabricant: NTMS4706NR2
Fabricant: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SOIC
Feuilles de données: NTMS4706NR2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C6.4A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 10.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds950 pF @ 24 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)830mW (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-SOIC
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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