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Rochester Electronics / FDD6632

FDD6632

Référence fabricant: FDD6632
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 9A DPAK
Feuilles de données: FDD6632 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesUltraFET™
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C9A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 5 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds255 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)15W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD-PAK (TO-252)
Paquet / caisseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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État des stocks: 17099

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