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IQE006NE2LM5CGATMA1

Référence fabricant:	IQE006NE2LM5CGATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 25V 41A/298A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™ 5
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	25 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	41A (Ta), 298A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	650mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	82.1 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5453 pF @ 12 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.1W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	IPAK (TO-251AA)
Paquet / caisse	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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Modèles populaires

	IQE006NE2LM5ATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IQE006NE2LM5CGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	IQE013N04LM6ATMA1 IR (Infineon Technologies)

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