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Rochester Electronics / IRL1404SPBF

IRL1404SPBF

Référence fabricant: IRL1404SPBF
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: HEXFET POWER MOSFET
Feuilles de données: IRL1404SPBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesHEXFET®
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)40 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C160A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.3V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs4mOhm @ 95A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs140 nC @ 5 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds6.6 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3.8W (Ta), 200W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurD2PAK
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
OPTIONS D'ACHAT

État des stocks: 411

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