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SN7002N L6327

Référence fabricant:	SN7002N L6327
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23-3
Feuilles de données:	SN7002N L6327 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	SIPMOS®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	200mA (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.8V @ 26µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	45 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	360mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SOT-23-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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