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RFD8P05SM

Référence fabricant:	RFD8P05SM
Fabricant:	Rochester Electronics
Partie de la description:	MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA
Feuilles de données:	RFD8P05SM Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tube
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	50 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 20 V
Vgs (max)	-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	-
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TO-252AA
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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