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STMicroelectronics / STP3NK60Z

STP3NK60Z

Référence fabricant: STP3NK60Z
Fabricant: STMicroelectronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
Feuilles de données: STP3NK60Z Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesSuperMESH™
PaquetTube
État de la pièceNot For New Designs
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C2.4A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs11.8 nC @ 10 V
Vgs (max)±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds311 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)45W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220AB
Paquet / caisseTO-220-3
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