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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / SSM6J502NU,LF

SSM6J502NU,LF

Référence fabricant: SSM6J502NU,LF
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesU-MOSVI
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C6A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs23.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs24.8 nC @ 4.5 V
Vgs (max)±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds1800 pF @ 10 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)1W (Ta)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur6-UDFNB (2x2)
Paquet / caisse6-WDFN Exposed Pad
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État des stocks: 2218

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