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Référence fabricant: | SI5471DC-T1-GE3 |
Fabricant: | Vishay / Siliconix |
Partie de la description: | MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8 |
Feuilles de données: | SI5471DC-T1-GE3 Feuilles de données |
Statut sans plomb / Statut RoHS: | Sans plomb / Conforme RoHS |
État des stocks: | En stock |
Expédier de: | Hong Kong |
Manière d'expédition: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Taper | La description |
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Séries | TrenchFET® |
Paquet | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel® |
État de la pièce | Active |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Vidange à la tension de source (Vdss) | 20 V |
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C | 6A (Tc) |
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés) | 1.8V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 9.1A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 96 nC @ 10 V |
Vgs (max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2945 pF @ 10 V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de l'appareil fournisseur | 1206-8 ChipFET™ |
Paquet / caisse | 8-SMD, Flat Lead |
État des stocks: Expédition le jour même
Le minimum: 1
Quantité | Prix unitaire | Poste Prix |
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