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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation / TK40E10N1,S1X

TK40E10N1,S1X

Référence fabricant: TK40E10N1,S1X
Fabricant: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description: MOSFET N CH 100V 90A TO220
Feuilles de données: TK40E10N1,S1X Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesU-MOSVIII-H
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C90A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs8.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 500µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds3000 pF @ 50 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)126W (Tc)
Température de fonctionnement150°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurTO-220
Paquet / caisseTO-220-3
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