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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. / AONS21357

AONS21357

Référence fabricant: AONS21357
Fabricant: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Partie de la description: MOSFET P-CH 30V 21A/36A 8DFN
Feuilles de données: AONS21357 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
Séries-
PaquetTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièceActive
Type de FETP-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C21A (Ta), 36A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.8mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 10 V
Vgs (max)±25V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2830 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)5W (Ta), 48W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-DFN-EP (5x6)
Paquet / caisse8-PowerVDFN
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