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RF4E070BNTR

Référence fabricant:	RF4E070BNTR
Fabricant:	ROHM Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Feuilles de données:	RF4E070BNTR Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	-
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	7A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28.6mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	8.9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	410 pF @ 15 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	HUML2020L8
Paquet / caisse	8-PowerUDFN

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