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SI6473DQ-T1-GE3

Référence fabricant:	SI6473DQ-T1-GE3
Fabricant:	Vishay / Siliconix
Partie de la description:	MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP
Feuilles de données:	SI6473DQ-T1-GE3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	TrenchFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	20 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	6.2A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	450mV @ 250µA (Min)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 5 V
Vgs (max)	±8V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	-
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.08W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-TSSOP
Paquet / caisse	8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

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