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IRLHM630TRPBF

Référence fabricant:	IRLHM630TRPBF
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN
Feuilles de données:	IRLHM630TRPBF Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	HEXFET®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	21A (Ta), 40A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 20A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.1V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	62 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±12V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3170 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.7W (Ta), 37W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PQFN (3x3)
Paquet / caisse	8-VQFN Exposed Pad

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