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C2M0280120D

Référence fabricant:	C2M0280120D
Fabricant:	Wolfspeed - a Cree company
Partie de la description:	SICFET N-CH 1200V 10A TO247-3
Feuilles de données:	C2M0280120D Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Z-FET™
Paquet	Tube
État de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	1200 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	10A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	370mOhm @ 6A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1.25mA (Typ)
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	20.4 nC @ 20 V
Vgs (max)	+25V, -10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	259 pF @ 1000 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	62.5W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de l'appareil fournisseur	TO-247-3
Paquet / caisse	TO-247-3

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