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FDN8601

Référence fabricant:	FDN8601
Fabricant:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Partie de la description:	MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3
Feuilles de données:	FDN8601 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	PowerTrench®
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	2.7A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	109mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	210 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	1.5W (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	SuperSOT-3
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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Modèles populaires

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	FDN86501LZ Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
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