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STS1HNK60

Référence fabricant:	STS1HNK60
Fabricant:	STMicroelectronics
Partie de la description:	MOSFET N-CH 600V 300MA 8SO
Feuilles de données:	STS1HNK60 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	SuperMESH™
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	300mA (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	10 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	156 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	2W (Tc)
Température de fonctionnement	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	8-SO
Paquet / caisse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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