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Rochester Electronics / FDS7082N3

FDS7082N3

Référence fabricant: FDS7082N3
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 30V 17.5A 8SO
Feuilles de données: FDS7082N3 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesPowerTrench®
PaquetBulk
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C17.5A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2.271 pF @ 15 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)3W (Ta)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseur8-SO
Paquet / caisse8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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État des stocks: 13304

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