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IR (Infineon Technologies) / IPP093N06N3GXKSA1

IPP093N06N3GXKSA1

Référence fabricant: IPP093N06N3GXKSA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 50A TO220-3
Feuilles de données: IPP093N06N3GXKSA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesOptiMOS™
PaquetTube
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C50A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs9.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 34µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs36 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds2900 pF @ 30 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)71W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO220-3
Paquet / caisseTO-220-3
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