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Rochester Electronics / IPP80N06S407AKSA2

IPP80N06S407AKSA2

Référence fabricant: IPP80N06S407AKSA2
Fabricant: Rochester Electronics
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3-1
Feuilles de données: IPP80N06S407AKSA2 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
Taper La description
SériesAutomotive, AEC-Q101, OptiMOS™
PaquetBulk
État de la pièceActive
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C80A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 40µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs56 nC @ 10 V
Vgs (max)±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds4.5 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)79W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montageThrough Hole
Package de l'appareil fournisseurPG-TO220-3-1
Paquet / caisseTO-220-3
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État des stocks: 18000

Le minimum: 1

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