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IR (Infineon Technologies) / BTS113AE3045ANTMA1

BTS113AE3045ANTMA1

Référence fabricant: BTS113AE3045ANTMA1
Fabricant: IR (Infineon Technologies)
Partie de la description: MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
Feuilles de données: BTS113AE3045ANTMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS: Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks: En stock
Expédier de: Hong Kong
Manière d'expédition: DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
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package

spécification
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SériesTEMPFET®
PaquetTape & Reel (TR)
État de la pièceObsolete
Type de FETN-Channel
La technologieMOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)60 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C11.5A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (max)±10V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 25 V
Fonction FET-
Dissipation de puissance (max)40W (Tc)
Température de fonctionnement-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montageSurface Mount
Package de l'appareil fournisseurTO-220AB
Paquet / caisseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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