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IPD20N03L G

Référence fabricant:	IPD20N03L G
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Feuilles de données:	IPD20N03L G Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	OptiMOS™
Paquet	Tape & Reel (TR)
État de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	30A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 25µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	19 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	695 pF @ 25 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	42W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO252-3
Paquet / caisse	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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