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IPBE65R099CFD7AATMA1

Référence fabricant:	IPBE65R099CFD7AATMA1
Fabricant:	IR (Infineon Technologies)
Partie de la description:	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-7
Feuilles de données:	IPBE65R099CFD7AATMA1 Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7A
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	24A (Tc)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	99mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 630µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2513 pF @ 400 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	127W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	PG-TO263-7-3-10
Paquet / caisse	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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