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TK155U65Z,RQ

Référence fabricant:	TK155U65Z,RQ
Fabricant:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Partie de la description:	DTMOS VI TOLL PD=150W F=1MHZ
Feuilles de données:	TK155U65Z,RQ Feuilles de données
Statut sans plomb / Statut RoHS:	Sans plomb / Conforme RoHS
État des stocks:	En stock
Expédier de:	Hong Kong
Manière d'expédition:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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package

spécification

Taper	La description
Séries	DTMOSVI
Paquet	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
État de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vidange à la tension de source (Vdss)	650 V
Courant - Drain continu (Id) à 25 ° C	18A (Ta)
Tension d'entraînement (Rds max activés, Rds min activés)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	155mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 730µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1635 pF @ 300 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max)	150W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C
Type de montage	Surface Mount
Package de l'appareil fournisseur	TOLL
Paquet / caisse	8-PowerSFN

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État des stocks: 3990

Le minimum: 1

Quantité	Prix unitaire	Poste Prix
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